腐蝕在鋁合金部分腐蝕中和點蝕相同，也是一種常見的腐蝕現象。這種腐蝕是沿著晶界或許在其近旁發作，所以稱之為腐蝕。關于腐蝕的成因，廣泛認為是由晶界與相鄰晶粒之間的電位差構成的。以AI-Cu-Mg合金為例，在時效脫溶之后，晶界有一條無堆積帶，含Cu較少，電位較負，構成陽極相。晶粒內含Cu較高，電位較正，構成了陰極相。在腐蝕進程中，電位較負的貧Cu區將被優先腐蝕，并跟著鋁的溶解，晶粒中孤立的Cu也隨之進人溶液，尤其是陰極相中鋁的溶解使Cu直接進人溶液，生成Cu2十。由于Cu2+的氧化恢復電位很正（相關于鋁的電位），所以會在鋁表面的陰極區恢復分出，這種分出進程稱之為二次堆積。
由于這種二次堆積行為，使鋁在腐蝕介質中又構成新的富Cu陰極相，使上一腐蝕進程重復進行。這一現象對鋁的維護來說要極力防止。但在鋁合金表面紋理蝕刻中，腐蝕同樣是紋理的又一成因，特別是具有針狀晶粒結構的材料關于絲狀紋理的構成更為重要。為到達這一目的，能夠在腐蝕介質中加人適量的氧化恢復電位較正的金屬離子或氧化性陰離子，以到達對鋁合金表面絲狀紋理蝕刻強化的目的。但這只能對那些具有絲狀紋理腐蝕傾向的合金材料才有明顯效果。也有材料介紹在有抑制劑的電解質溶液中，通過外加電場的效果對鋁合金表面進行絲狀紋理蝕刻。
通過有限的實驗發現，關于那些不具有絲狀紋理腐蝕傾向的合金材料效果并不明顯，若要廣泛用于批量生產，還有待于進一步研討。在蝕刻進程中，由于電位差的緣故，有可能是沿晶粒的邊界先蝕刻，然后整個晶粒被蝕刻溶解。所以在晶粒標準較大的材料上進行紋理蝕刻更簡略獲得粗糙度高的紋理效果。但過大的晶粒標準經蝕刻后將會影響到材料的強度，特別是經較長時間的蝕刻，其影響程度更大。所以在進行紋理蝕刻時，控制蝕刻時間（也就是控制對材料的蝕刻量）是很重要的。
